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  3. 阅读下列说明，回答问题1至问题3，将答案填入答题纸的对应栏内。 【说明】 某公司承接了一个数据处理模块的项目，由沈工负责模块的方案设计，沈工的设计方案如图4-1所示。该数据处理模块以PowerPC处理器为核心，设计了存储器、以太网、温度传感器、调试

阅读下列说明，回答问题1至问题3，将答案填入答题纸的对应栏内。 【说明】 某公司承接了一个数据处理模块的项目，由沈工负责模块的方案设计，沈工的设计方案如图4-1所示。该数据处理模块以PowerPC处理器为核心，设计了存储器、以太网、温度传感器、调试

admin2017-11-27  70
问题 阅读下列说明，回答问题1至问题3，将答案填入答题纸的对应栏内。
【说明】
    某公司承接了一个数据处理模块的项目，由沈工负责模块的方案设计，沈工的设计方案如图4-1所示。该数据处理模块以PowerPC处理器为核心，设计了存储器、以太网、温度传感器、调试接口等功能电路。
    处理器外接FLASH存储器用于存储上电初始化程序和应用程序。处理器通过12C接口连接测温电路，监控模块的工作温度。以太网、串口、调试离散量等用于软件调试和状态显示。
    测温电路选用ADT7461AR芯片，用于测试模块温度。ADT7461AR是一个双通道数字温度计，工作电压3v至5v，具有低／超温报警功能，采用IzC接口实现主机对远程／本地温度数据的采集，采集数据存储在高／低两个数据寄存器中，每个寄存器为16位，高寄存器表示整数值，低寄存器表示小数值。

   存储模块采用某公司的FLASH存储芯片。支持编程、擦除、复位等操作命令。该FLASH芯片的常用命令序列如表4-1所示。表中的地址和数据皆为16进制数。

沈工用C语言实现对FLASH的操作，需按照表4-1中定义的命令序列顺序执行即可。仔细阅读下列代码，请在(1)～(4)处将对应的C语言代码补全。
／*定义宏FLASH_BASE_ADDRESS为FLASH芯片的基地址*／：
    #define FLASH_BASE_ADDRESS XXXXXXXX(此处代码略)
    ／*定义向FLASH空间写一个命令的宏*／
    #de fine FLASH_WRITE_BYTE(addr，data)XXXXXXXX(此处代码略)
    ／*Reset Flash*／
    Void ResetFlash(VOid)
    {
    FLASH_WRITE_BYTE(FLASH_BASE_ADDRESS，0xF0)；
    return；
    }
    ／*对FLASH的擦除是按扇区进行的，SectorErase函数每次可擦除一个扇区。假设某扇区的偏移地址为offset_addr，下面SectorErase函数体为擦除该扇区的命令序列*／
    void SectorErase(int offset_addr)
    {
    FLASH_WRITE_BYTE(FLASH_BASE_ADDRESS+0x555，0xAA)；
    FLASH_WRITE_BYTE(FLASH_BASE_ADDRESS+(1)，0x55)；
    FLASH_WRITE_BYTE(FLASH_BASE_ADDRESS+0x555，(2))；
    FLASH_WRITE_BYTE(FLASH_BASE_ADDRESS+0x555，0xAA)；
    FLASH_WRITE_BYTE(FLASH_BASE_ADDRESS+0x2AA，0x55)；
    FLASH_WRITE_BYTE(FLASH_BASE_ADDRESS+(3)，(4))；
    return；
    }
选项
答案(1)0x2AA (2)0x80 (3)offset_addr (4)0x30
解析 本题中采用的FLASH芯片为NOR FLASH，NOR FLASH是很常见的一种存储芯片，数据掉电不会丢失。NOR FLASH支持Execute On Chip，即程序可以直接在FLASH片内执行(这意味着存储在NOR FLASH上的程序不需要复制到RAM就可以直接运行)。因此，在嵌入式系统中，NOR FLASH很适合作为启动程序的存储介质。NOR FLASH的读取和RAM很类似(只要能够提供数据的地址，数据总线就能够正确的给出数据)，但不可以直接进行写操作。对NOR FLASH的写操作需要遵循特定的命令序列，最终由芯片内部的控制单元完成写操作。
    FLASH一般都分为很多个SECTOR，每个SECTOR包括一定数量的存储单元，对有些大容量的FLASH，还分为不同的BANK，每个：BANK包括一定数目的SECTOR。FLASH的擦除操作一般都是以SECTOR、BANK或是整片FLASH为单位的。
    在对FLASH进行写操作的时候，每个位可以通过编程由1变为0，但不可以由0修改为1。为了保证写操作的正确性，在执行写操作前，都要执行擦除操作，擦除操作会把FLASH的一个SECTOR、一个BANK或是整片FLASH的值全修改为0xFF，这样写操作就可以正确完成了。
    FLASH芯片一般都支持编程、擦除、复位等操作命令，命令序列可参考芯片厂家提供的用户手册。本项目中根据芯片手册提供的常用命令序列表，可知SECTOR擦除操作共需要6个周期的总线写操作完成，命令序列如下：
    1)将OxAA写到FLASH芯片地址0x555；
    2)将0x55写到FLASH芯片地址0x2AA；
    3)将0x80写到FLASH芯片地址0x555；
    4)将OxAA写到FLASH芯片地址0x555；
    5)将0x55写到FLASH芯片地址0x2AA；
    6)将0x30写到要擦除的SECTOR对应的地址。
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