某公司拟在工业园区建设一电子元器件生产企业A厂。由于电子元器件生产以硅片为基材，经氨水清洗、氢氟酸／硫酸蚀刻、砷化氢掺杂、硫酸铜化学镀等工序得到产品。其中掺杂工序和化学镀工序流程见图5—1。生产过程中产生的清洗废水、蚀刻废水、尾气洗涤塔水、化学

admin2019-01-20 68

问题某公司拟在工业园区建设一电子元器件生产企业A厂。由于电子元器件生产以硅片为基材，经氨水清洗、氢氟酸／硫酸蚀刻、砷化氢掺杂、硫酸铜化学镀等工序得到产品。其中掺杂工序和化学镀工序流程见图5—1。

生产过程中产生的清洗废水、蚀刻废水、尾气洗涤塔水、化学镀废水经预处理后进入最终中和池，最终中和池出水排入园区污水处理厂。废水预处理后的情况见表5—1。
园区污水处理厂处理能力为5．0×10⁴m³／d。目前实际处理能力为3．3×10⁴m³／d。接管水质要求为COD 350mg／L，NH₃-N 25mg／L，TP 6mg／L，其他指标需达到《污水综合排放标准》(GB 8978—1996)表1及表4三级排放标准(氟化物20mg／L，Cu2．0mg／L，As 0．5mg／L)。
氨水清洗工序产生的清洗废水中氨含量为0．02％，为降低废水中氨浓度，拟采取热交换吹脱法除氨，氨的吹脱效率为80％，吹脱出的氨经15m高排气筒排放。
(注：《恶臭污染物排放标准》(GB 14554—1993)规定，15m高排气筒氨排放量限值为4．9kg／h。)