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  3. 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致

抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致

admin2010-05-10  71
问题 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致
选项 A、Na+、C1-、K+，尤其是K+
B、Ca2+、K+、C1-，尤其是Ca2+
C、Na+、K+，尤其是Na+
D、K+、C1-，尤其是C1-
E、K+、Ca2+、Na+，尤其是Ca2+
答案D
解析
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