A．低于体瓷烧结愠度6～8℃ B．高于体瓷烧结温度10℃ C．高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 D．形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡 E．防止磨料成分污染金属表面金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是

admin2011-12-18 113

问题 A．低于体瓷烧结愠度6～8℃
B．高于体瓷烧结温度10℃
C．高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D．形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡
E．防止磨料成分污染金属表面
金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是

选项 A、
B、
C、
D、
E、