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  3. A．Na+ B．K+ C．Mg2+ D．Cl- E．Ca2+ 抑制性突触后电位的产生主要是由于突触后膜对( )离子通透性增加所致

A．Na+ B．K+ C．Mg2+ D．Cl- E．Ca2+ 抑制性突触后电位的产生主要是由于突触后膜对( )离子通透性增加所致

admin2018-09-12  10
问题 A．Na+
B．K+
C．Mg2+
D．Cl-
E．Ca2+
抑制性突触后电位的产生主要是由于突触后膜对(    )离子通透性增加所致
选项 A、 
B、 
C、 
D、 
E、 
答案D
解析
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