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  3. 用于存储器的芯片有不同的类型。 可随机读写，且只要不断电，则其中存储的信息就可一直保存，称为(32)。 可随机读写，但即使在不断电的情况下其存储的信息也要定时刷新才不致丢失的，称为(33)。 所存信息由生产厂家用掩膜技术写好后就无法再改变

用于存储器的芯片有不同的类型。 可随机读写，且只要不断电，则其中存储的信息就可一直保存，称为(32)。 可随机读写，但即使在不断电的情况下其存储的信息也要定时刷新才不致丢失的，称为(33)。 所存信息由生产厂家用掩膜技术写好后就无法再改变

admin2019-03-04  56
问题 用于存储器的芯片有不同的类型。
   可随机读写，且只要不断电，则其中存储的信息就可一直保存，称为(32)。
   可随机读写，但即使在不断电的情况下其存储的信息也要定时刷新才不致丢失的，称为(33)。
   所存信息由生产厂家用掩膜技术写好后就无法再改变的称为(34)。
   通过紫外线照射后可擦除所有信息，然后重新写入新的信息并可多次进行的，称为(35)。
   通过电信号可在数秒钟内快速删除全部信息，但不能进行字节级别删除操作的，称为(36)。
选项 A、E2PROM
B、Flash　Memory
C、EPROM
D、Virtual　Memory
答案B
解析 主存储器也就是我们简称的主存或内存，根据工艺和技术不同，可分为下列几种。
   (1)RAM(random access memory)：RAM存储器既可以写入也可以读出，但断电后信息无法保存，因此只能用于暂存数据。RAM又可分为DRAM和SRAM两种。
   ①DRAM(dynamic RAM)：信息会随时间逐渐消失，因此需要定时对其进行刷新 (refresh)维持信息不丢失。
   ②SRAM (static RAM)：在不断电的情况下信息能够一直保持而不会丢失。
   DRAM的密度大于SRAM且更加便宜，但SRAM速度快，电路简单(无须刷新电路)，然而容量小，价格高。
   (2)ROM(read only memory)：只读存储器，信息已固化在存储器中。ROM出厂时其内容由厂家用掩膜技术(mask)写好，只可读出，但无法改写。一般用于存放系统程序BIOS和用于微程序控制。
   (3)PROM(programmable ROM)：可编程ROM，只能进行一次写入操作(与ROM相同)，但是可以在出厂后，由用户使用特殊电子设备进行写入。
   (4)EPROM(erasable PROM)：可擦除的PROM，其中的内容既可以读出，也可以写入。但是在一次写操作之前必须用紫外线照射15～20分钟以擦去所有信息，然后再写入。可以写多次。
   (5)E2PROM(electrically EPROM)：电可擦除EPROM，与EPROM相似，可以读出也可写入，而且在写操作之前，不需要把以前内容先擦去。能够直接对寻址的字节或块进行修改，只不过写操作所需的时间远远大于读操作所需时间(每字节需几百ms)，其集成度也较低。
   (6)闪速存储器(flash memory)：其性能介于EPROM与E2PROM之间。与 E2PROM相似，可使用电信号进行删除操作。整块闪速存储器可以在数秒内删除，速度远快于EPROM；而且可以选择删除某一块而非整块芯片的内容，但还不能进行字节级别的删除操作。集成度与EPROM相当，高于E2PROM。闪速存储器有时也简称为闪存，广泛应用于掌上电脑和手机等嵌入式系统。
   (7)相联存储器(content addressable memory，CAM)：CAM是一种特殊的存储器，是一种基于数据内容进行访问的存储设备CAM。当对其写入数据时，CAM能够自动选择一个未用的空单元进行存储；当要读出数据时，不是给出其存储单元的地址，而是直接给出该数据或者该数据的一部分内容，CAM对所有的存储单元中的数据同时进行比较并标记符合条件的所有数据以供读取。由于比较是同时、并行进行的，所以这种基于数据内容进行读写的机制，其速度比基于地址进行读写的方式要快许多。
   (8)NVRAM(非挥发性RAM)：这实际上是静态RAM加上电池，加电时，它的表现和静态RAM一样，失去电力时，由电池供电以保持其中的内容不丢失。由于成本高昂，所以其容量通常非常小，通常只有几百字节。
   几种存储器之间的比较如表2-6所示。
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