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  3. 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对哪种离子通透性增加所致 ( )

抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对哪种离子通透性增加所致 ( )

admin2015-09-16  75
问题 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对哪种离子通透性增加所致    (    )
选项 A、Na+、Cl-、K+，尤其是K+
B、Na+、K+，尤其是Na+
C、K+、Cl-，尤其是Cl-
D、K+、Ca2+、Na+，尤其是Ca2+
E、Ca2+、K+、Cl-，尤其是Ca2+
答案C
解析  如果突触前膜释放的是抑制性递质，它与突触后膜上的受体结合后，提高了突触后膜对K+、Cl-，尤其是Cl-的通透性，由于Cl-由膜外进入膜内，使膜电位的绝对值增大，导致突触后膜超极化，产生抑制性突触后电位。
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